IGBT 系统设计全攻略【详细】

        IGBT,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用),频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内。

        IGBT的静态特性一般用不到,暂时不用考虑,重点考虑动态特性(开关特性)。

IGBT的开通过程

        IGBT在开通过程中,分为几段时间

        1.与MOSFET类似的开通过程,也是分为三段的充电时间

        2.只是在漏源DS电压下降过程后期,PNP晶体管由放大区至饱和过程中增加了一段延迟时间。

IGBT在关断过程

        IGBT在关断过程中,漏极电流的波形变为两段。

        功率器件在绿色节能设计中的应用【IGBT、MOSFET】

        功率器件是功率电子技术的核心器件,特别是IGBT模块和MOSFET器件被广泛应用于工业设备、汽车电子、家电等领域,为这些领域的节能提供了帮助。在世界都需要节能的情况下,功率器件的重要性将日益提高,发展前景将更加光明。

关于IGBT保护电路设计必知问题

        IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件,具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点,因而广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差,一旦出现意外就会使它损坏。

source:http://www.juda.cn/news/117551.html

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